YARIMO‘TKAZGICHLI GETEROSTRUKTURALARDA TUNELLI HODISALARNI O‘RGANISH USULLARI
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
mazkur maqolada yarimo‘tkazgichli geterostrukturalarda sodir bo‘ladigan tunelli hodisalarning fizik mohiyati va ularni o‘rganishning zamonaviy usullari tahlil qilinadi. Tadqiqotda tunelli o‘tishlarni aniqlashda qo‘llaniladigan eksperimental va nazariy yondashuvlar, xususan, I–V xarakteristikalar, kvant mexanik modellar hamda energetik diagrammalar asosida olib borilgan hisoblash natijalari bayon etilgan. Olingan natijalar tunelli hodisalarning yarimo‘tkazgichli qurilmalarning samaradorligi va barqarorligiga ta’sirini aniqlash imkonini beradi.
Article Details
Section
References
1. O‘zbekiston Respublikasi Prezidenti Qarori. (2020-yil 29-oktabr). “Fan va innovatsiyalar sohasida davlat siyosatini yanada takomillashtirish chora-tadbirlari to‘g‘risida” PQ–4884 — Ilm-fan va innovatsiyalarni rivojlantirishga qaratilgan davlat siyosati hujjati.
2. Esaki, L. (1958). New phenomenon in narrow germanium p–n junctions. Physical Review, 109(2), 603–604 — Tunel diod hodisasini birinchi marta tajriba yo‘li bilan isbotlagan klassik ish.
3. Lundstrom, M. (2017). Fundamentals of Nanotransistors. World Scientific Publishing — Nanotransistorlar va kvant transport hodisalarining asosiy fizik tamoyillarini yoritadi.
4. Razeghi, M. (2009). Fundamentals of Solid State Engineering. Springer — Qattiq jism muhandisligi asoslari va yarimo‘tkazgich geterostrukturalar fizikasi haqida.
5. Seeger, K. (2010). Semiconductor Physics: An Introduction (9th ed.). Springer-Verlag Berlin Heidelberg — Geterostrukturalarning energetik zonalari va tunellash jarayonlarini nazariy tahlil qiladi.
6. Sharma, B. L. (1993). Physics of Semiconductor Devices. Pergamon Press — Yarimo‘tkazgich qurilmalarining fizik modeli va ularning tunelli xususiyatlari haqida.
7. Singh, J. (1995). Semiconductor Optoelectronics: Physics and Technology. McGraw–Hill Education — Tunelli hodisalarning optoelektron qurilmalardagi roli haqida batafsil ma’lumot beradi.
8. Sze, S. M., & Ng, K. K. (2006). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Hoboken, NJ: Wiley-Interscience — Yarimo‘tkazgich qurilmalari fizikasi bo‘yicha eng ishonchli va keng qo‘llaniladigan manba.
9. Tsu, R., & Esaki, L. (1973). Tunneling in a finite superlattice. Applied Physics Letters, 22(11), 562–564 — Superpanjaralarda tunellash jarayonlarini modellashtirish bo‘yicha klassik ilmiy maqola.
10. Vurgaftman, I., Meyer, J. R., & Ram-Mohan, L. R. (2001). Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, 89(11), 5815–5875 — III–V yarimo‘tkazgich materiallarining energetik parametrlarini hisoblash uchun asosiy manba.